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环绕闸极不能让三星在3nm工艺领先台积电


文章作者:www.bojdn.com 发布时间:2019-09-01 点击:818



[天体手机通道]进入14nm/16nm半导体工艺后,半导体工艺最常被称为鳍式场效应晶体管(FinFET),其外观满足7nm和14nm之间的工艺制造。然而,在进入更小的5nm甚至3nm之后,FinFET工艺一直难以满足半导体芯片的制造需求,业界也在研究新一代晶体管。

三星在5月份宣布推出新一代“地面环绕(GAA)”工艺技术,同时宣称将在台积电领域推出为期一年的3纳米工艺。围绕栅极的原理是通过增加栅极和电子沟道之间的接触面积来增加控制效果并减小漏电流,从而进一步减小晶体管尺寸并确定芯片的泄漏率。

台湾知识产权专家社区创始人曲建中表示,场效应晶体管(FET)是最基本的电子元件,是数字信号的最小单位。 FET表示0或1,这是计算机中的一个位。数。电子流入和流出,栅极开关控制电子传导表示1或非传导表示0.科学家在硅片上制作它。

“工艺节点”表示浇口的“平均长度”,并且随着工艺技术的进步将变得更小。当晶体管缩小到小于14纳米时,原有的技术已不能满足14nm产品的需求,然后胡正明教授的“FinFET”(FinFET),却只遇到了5nm以下的问题,“围绕栅极场效应晶体管”。

曲建中强调,晶圆厂长期以来一直在开发GAA,但结构略有不同。测试结果并不比FinFET好,产量低。因此,GAA没有成为“聋子”。三星展出的“水平”GAA和FinFET的性能差别不大。对于外行人来说,更多的功能。据报道,三星希望使用GAA在3纳米角落积聚电力。 “只能说想象力过于丰富,即三星。营销非常强大。”

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三星在5月份宣布推出新一代“地面环绕(GAA)”工艺技术,同时宣称将在台积电领域推出为期一年的3纳米工艺。围绕栅极的原理是通过增加栅极和电子沟道之间的接触面积来增加控制效果并减小漏电流,从而进一步减小晶体管尺寸并确定芯片的泄漏率。

台湾知识产权专家社区创始人曲建中表示,场效应晶体管(FET)是最基本的电子元件,是数字信号的最小单位。 FET表示0或1,这是计算机中的一个位。数。电子流入和流出,栅极开关控制电子传导表示1或非传导表示0.科学家在硅片上制作它。

“工艺节点”表示浇口的“平均长度”,并且随着工艺技术的进步将变得更小。当晶体管缩小到小于14纳米时,原有的技术已不能满足14nm产品的需求,然后胡正明教授的“FinFET”(FinFET),却只遇到了5nm以下的问题,“围绕栅极场效应晶体管”。

曲建中强调,晶圆厂长期以来一直在开发GAA,但结构略有不同。测试结果并不比FinFET好,产量低。因此,GAA没有成为“聋子”。三星展出的“水平”GAA和FinFET的性能差别不大。对于外行人来说,更多的功能。据报道,三星希望使用GAA在3纳米角落积聚电力。 “只能说想象力过于丰富,即三星。营销非常强大。”

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